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參數資料
| 型號： | MC68HC916X1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 16-Bit Modular Microcontroller(16位模塊化微控制器) |
| 中文描述： | 16位微控制器模塊（16位模塊化微控制器） |
| 文件頁數： | 127/172頁 |
| 文件大小： | 1035K |
| 代理商： | MC68HC916X1 |
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MC68HC916X1
MC68HC916X1TS/D
MOTOROLA
127
The base address high registers (FEE1BAH, FEE2BAH) contain the 8 high-order bits of the array
base address; the base address low registers (FEE1BAL, FEE2BAL) contain the active low-order
bits of the array base address. During reset, both FEExBAH and FEExBAL take on default values
programmed into associated shadow registers. After reset, if LOCK = 0 and STOP = 1, software
can write to FEExBAH and FEExBAL to relocate the array.
The flash EEPROM control registers (FEE1CTL, FEE2CTL) control programming and erasure of
the arrays. FEExCTL is accessible in supervisor mode only.
VFPE — Verify Program/Erase
0 = Normal read cycles
1 = Invoke program verify circuit
The VFPE bit invokes a special program-verify circuit. During programming sequences (ERAS = 0),
VFPE is used in conjunction with the LAT bit to determine when programming of a location is complete.
If VFPE and LAT are both set, a bit-wise exclusive-OR of the latched data with the data in the location
being programmed occurs when any valid FLASH location is read. If the location is completely pro-
grammed, a value of zero is read. Any other value indicates that the location is not fully programmed.
When VFPE is cleared, normal reads of valid FLASH locations occur. The value of VFPE cannot be
changed while ENPE = 1.
ERAS — Erase Control
0 = Flash EEPROM configured for programming
1 = Flash EEPROM configured for erasure
The ERAS bit configures the array for either programming or erasure. Setting ERAS causes all locations
in the array and all control bits in the control block to be configured for erasure at the same time.
When the LAT bit is set, ERAS also determines whether a read returns the data in the addressed loca-
tion (ERAS = 1) or the address itself (ERAS = 0). ERAS cannot be changed while ENPE = 1.
FEE1BAH, FEE2BAH
— Flash EEPROM Base Address High Registers
$YFF804, $YFF824
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ADDR
23
ADDR
22
ADDR
21
ADDR
20
ADDR
19
ADDR
18
ADDR
17
ADDR
16
RESET:
0
0
0
0
0
0
0
0
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
FEE1BAL
— Flash EEPROM Base Address Low Register
$YFF806
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ADDR
15
ADDR
14
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
RESET:
SB
SB
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
FEE2BAL
— Flash EEPROM Base Address Low Register
$YFF826
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
RESET:
SB
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
FEE1CTL, FEE2CTL
— Flash EEPROM Control Register
$YFF808, $YFF828
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
VFPE
ERAS
LAT
ENPE
RESET:
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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