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參數資料
| 型號： | MG800J2YS50A |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | MG800J2YS50A |
MG800J2YS50A
2002-10-31
4
100
10000
16
2
1000
500
3000
12
6
8
300
5000
Eoff
Eon
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
IC 800 A
Tj 25°C
Tj 125°C
4
10
14
S
Forward voltage V
F
(V)
I
F
– V
F
F
F
G
G
Charge Q
G
(nC)
V
CE
, V
GE
– Q
G
C
C
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
td (on)
100
10000
16
2
1000
500
3000
14
6
10
300
5000
toff
td (off)
ton
tr
tf
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
IC 800 A
Tj 25°C
Tj 125°C
12
4
8
0
400
50
4000
0
200
Common emitter
RL 0.375
Tj 25°C
150
300
3000
1000
2000
100
250
350
0
16
2
8
6
12
4
10
14
VCE 0
100
300
200
Tj 25°C
0
900
100
5
0
2.5
400
4
800
Common cathode
VGE 0 V
300
600
1.5
3
4.5
0.5
2
200
500
700
125
1
3.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG90V2YS40 | WIRE, ETFE, TEFZEL, 14AWG, WHITE, 100M; Area, conductor CSA:1.675mm2; Conductor make-up:37/0.250; Voltage rating, AC:600V; Current rating:23A; Colour, primary insulation:White; Material, primary insulation:Tefzel; Diameter, RoHS Compliant: Yes |
| MGF0904 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0904A | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0905 | MINIATURE POWER RELAY |
| MGF0905A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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