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參數資料
| 型號： | MG800J2YS50A |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | MG800J2YS50A |
MG800J2YS50A
2002-10-31
5
Switching time – I
C
Switching loss – I
C
Collector current I
C
(A)
Collector current I
C
(A)
S
S
R
d
Forward current I
F
(A)
t
rr
, I
rr
– I
F
P
r
R
r
Forward current I
F
(A)
E
dsw
– I
F
Eon
1
100
900
0
10
600
200
400
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
RG 4.7
Tj 25°C
Tj 125°C
100
500
800
300
700
3
5
30
50
Eoff
Common cathode
di/dt 2000 A/ s
VGE 15 V
VCC 300 V
Tj 25°C
Tj 125°C
1
1000
800
0
100
600
200
400
10
trr
Irr
Common cathode
di/dt 2000 A/ s
VGE 10 V
VCC 300 V
Tj 25°C
Tj 125°C
1
1000
800
0
100
600
200
400
10
toff
td (on)
ton
10
10000
900
0
100
600
200
400
1000
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
RG 4.7
Tj 25°C
Tj 125°C
100
500
800
300
700
tr
tf
td (on)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG90V2YS40 | WIRE, ETFE, TEFZEL, 14AWG, WHITE, 100M; Area, conductor CSA:1.675mm2; Conductor make-up:37/0.250; Voltage rating, AC:600V; Current rating:23A; Colour, primary insulation:White; Material, primary insulation:Tefzel; Diameter, RoHS Compliant: Yes |
| MGF0904 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0904A | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0905 | MINIATURE POWER RELAY |
| MGF0905A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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