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EPC2023ENGR

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價格
說明
操作

EPC2023ENGR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2023ENGR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15460
EPC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
停產
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
60A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.3 毫歐 @ 40A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 20mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
20nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2300pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2023ENGR 技術參數

EPC2023ENG 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 40A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2023 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20mA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 40A，5V 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2022ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2022 功能描述:TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2021ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 29A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 14mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037