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EPC2030

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

EPC2030ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2030ENGR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1700
EPC
托盤(pán)
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條
1

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EPC2030 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

EPC2030 PDF下載

功能描述
MOSFET NCH 40V 31A DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
零件狀態(tài)
在售
FET 類(lèi)型
N 溝道
技術(shù)
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
31A（Ta）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 16mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
18nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
1900pF @ 20V
FET 功能
-
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 30A，5V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2030 技術(shù)參數(shù)

EPC2029ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2029 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（12 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2025 功能描述:TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT