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EPC2025

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價格
說明
操作

EPC2025ENGR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
850
EPC
托盤
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
300V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
150 毫歐 @ 3A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
194pF @ 240V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2025 技術參數

EPC2024ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 37A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2024ENG 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 37A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2024 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 37A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2023ENGR 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 40A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2023ENG 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 40A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039