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參數資料
| 型號： | MC68HC916R1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 16-Bit Modular Microcontroller(16位模塊化微控制器) |
| 中文描述： | 16位微控制器模塊（16位模塊化微控制器） |
| 文件頁數： | 185/357頁 |
| 文件大小： | 1822K |
| 代理商： | MC68HC916R1 |
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MC68HC16R1/916R1
USER’S MANUAL
FLASH EEPROM MODULE
MOTOROLA
8-5
8.3.5.1 Erasure
The following steps are used to erase a flash EEPROM array.
Figure 8-2
is a flowchart
of the erasure operation. Refer to
Figures
A-22
and
A-23
in
APPENDIX A ELECTRI-
CAL CHARACTERISTICS
for V
FPE
to V
DD
relationships during erasure.
1. Increase voltage applied to the V
FPE
pin to program/erase/verify level.
2. Set the ERAS bit and the LAT bit in FEExCTL. This configures the module for
erasure.
3. Perform a write to any valid address in the control block or array. The data writ-
ten does not matter.
4. Set the ENPE bit in FEExCTL. This applies the erase voltage to the array.
5. Delay the proper amount of time for one erase pulse. Delay is specified by pa-
rameter t
epk
.
6. Clear the ENPE bit in FEExCTL. This turns off erase voltage to the array.
7. Delay while high voltage to array is turned off. Delay is specified by parameter
ter.
8. Read the entire array and control block to ensure all locations are erased.
9. If all locations are not erased, calculate a new value for t
epk
(t
ei
×
pulse number)
and repeat steps 3 through 10 until all locations erase, or the maximum number
of pulses has been applied.
10.If all locations are erased, calculate the erase margin (e
m
) and repeat steps 3
through 10 for the single margin pulse.
11.Clear the LAT and ERAS bits in FEExCTL. This allows normal access to the
flash.
12.Reduce voltage applied to the V
FPE
pin to normal read level.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MC68HCP11A1FN | 制造商:MOTORALA 功能描述: |
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