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參數資料
| 型號： | MC68HC916R1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 16-Bit Modular Microcontroller(16位模塊化微控制器) |
| 中文描述： | 16位微控制器模塊（16位模塊化微控制器） |
| 文件頁數： | 194/357頁 |
| 文件大小： | 1822K |
| 代理商： | MC68HC916R1 |
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MOTOROLA
9-6
BLOCK-ERASABLE FLASH EEPROM
MC68HC16R1/916R1
USER’S MANUAL
9.4.4.2 Erasure Sequence
Use the following procedure to erase the BEFLASH.
Figures
A-22
and
A-23
in
APPENDIX A ELECTRICAL CHARACTERISTICS
for V
FPE
to V
DD
relationships
during erasure.
1. Turn on V
FPE1
(apply program/erase voltage to V
FPE1
pin).
2. Set initial value of t
epulse
to t
emin
.
3. Set LAT, VFPE, and ERAS bits to configure the BEFLASH module for erasure.
4. Write to any valid address in the control block or array. This allows the erase
voltage to be turned on. The data written and the address written to are of no
consequence.
5. Set ENPE to apply programming voltage.
6. Delay long enough for one erase pulse to occur (t
epulse
).
7. Clear ENPE to remove programming voltage.
8. Delay while high voltage is turning off (t
verase
).
9. Clear LAT, ERAS, and VFPE to allow normal access to the BEFLASH.
10.Read the entire array and control block to ensure that the entire module is
erased.
11.If all of the locations are not erased, calculate a new value for t
epulse
and repeat
steps 3 through 10 until either the remaining locations are erased or the maxi-
mum erase time (t
erasemax
) has expired.
12.If all locations are erased, calculate t
emargin
and repeat steps 3 through 10. If all
locations do not remain erased, the BEFLASH module may be bad.
13.Turn off V
FPE2K
(reduce voltage on V
FPE2K
pin to V
DD
).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MC68HC16Z1 | 16-Bit Modular Microcontroller(16位模塊化微控制器) |
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參數描述 |
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| MC68HCP11A1FN | 制造商:MOTORALA 功能描述: |
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